Transphorm的第二款900 V GaN FET
加州戈利塔--(美国商业资讯)--开发和制造高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率半导体的先驱Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN) 今日宣布，该公司的第二款900 V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产。TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧，瞬态峰值额定值为1千伏，现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证。主要目标市场是广泛的工业和可再生能源，包括光伏逆变器、电池充电、不间断电源、照明和储能等应用。此外，凭借900 V产品组合，Transphorm正逐步扩大电压范围，以涵盖三相应用。
去年推出的TP90H050WS是该公司继TP90H180PS之后的第二款900 V器件。双芯片式常关型功率晶体管采用标准TO-247封装，具有±20 V栅极鲁棒性，从而提高其在电力系统中的可靠性和可设计性。Transphorm的高速GaN与耐热性强的TO-247封装相结合，使系统在具有无桥图腾柱功率因数校正(PFC)的典型半桥配置中可获得超过99%的效率，同时产生高达10 kW的功率。
Transphorm技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk表示：“Transphorm在其900 V平台上所做的工作展示了高压氮化镓功率晶体管所具备的功能。该器件使我们能够支持我们之前无法涉足的应用。在提供这些50毫欧FET的样品时，我们见证了来自客户的浓厚兴趣。我们可以自豪地说，它们的供应状态现已转变为能够满足客户需求的大批量生产。”
900 V GaN应用
伊利诺伊理工学院(IIT)目前正在一个先进能源研究计划署(ARPA-E)的Circuits计划中利用TP90H050WS开展相关工作，该计划将Transphorm的前沿产品与IIT的创新型固态开关拓扑独特结合。该项目将为可再生能源微电网生产可靠的固态断路器(SSCB)。它包括使用900 V GaN器件开发自主操作、可编程的智能双向SSCB。
伊利诺伊理工学院的John Shen博士解释道：“我们的SSCB项目需要一种非传统的电源转换解决方案，该解决方案不仅要在速度方面优于机械式断路器，而且还需要帮助我们降低功耗。Transphorm的GaN技术超出了我们的预期。它提供完整封装、 高功率密度、可靠的双向性，并且作为市面上唯一的900 V GaN器件，以一种小型封装提供了前所未有的功率输出。”
900 V评估板
Transphorm借助其直交逆变器评估板来继续简化开发工作。TDINV3500P100-KIT采用四件TP90H180PS 170毫欧FET设计，使用全桥拓扑来支持以100 kHz或以上频率运行的单相逆变器系统。
该评估板及两款已投产的900 V晶体管可通过Digi-Key和Mouser获取，链接如下：
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项 ，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压GaN半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormchina.com。在Twitter @transphormusa上关注我们。
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